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简介
PECVD工艺中由于等离子体中高速运动的电子撞击到中性的反应气体分子，就会使中性反应气体分子变成碎片或处于激活的状态容易发生反应；借助射频等使含有薄膜组成原子的气体，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜；具有基本温度低、沉积速率快、成膜质量好、针孔较少、不易龟裂等优点；
1200℃高真空PECVD系统通过滑动炉体来实现快速的升降温，配置不同的真空系统来达到理想的真空度；同时通过多路高精度质量流量计控制不同气体。 主要应用于高校、科研院所用于真空镀膜、纳米薄膜材料制备，生长薄膜石墨烯，金属薄膜，陶瓷薄膜，复合薄膜等，也可作为扩展等离子清洗刻蚀使用。同时上海煜志良好的售后服务，使得该产品的整体评价远超同行业标准。
主要技术参数
炉体结构 | 整机采用SUS304不锈钢材质，流线型外观，断热式结构； 日本技术真空吸附成型的优质高纯氧化铝多晶纤维固化炉膛，保温性能好； 炉子底部装有一对滑轨，移动平稳； 炉子可以手动从一端滑向另一端，实现快速的加热和冷却； 炉盖可开启，可以实时观察加热的物料 |
尺寸重量 | 1730*660*1130mm；净重：210kg |
电源 | 电压：AC220V 50/60Hz；功率：4KW |
炉管 | 高纯石英管，高温下化学稳定性强，耐腐蚀，热膨胀系数极小； 尺寸：Φ60*1300mm |
法兰及支撑 | SUS304不锈钢快速法兰，通过用高温“O”型圈紧密密封可获得高真空； 一个卡箍就能完成法兰的连接，放、取物料方便快捷； 可调节的法兰支撑，平衡炉管的受力支撑； 包含进气、出气、真空抽口针阀，KF密封圈及卡箍组合 |
加热系统 | 加热元件采用康泰尔发热丝，表面负荷高、经久耐用； 加热区长度：300mm 恒温区长度：150mm； 工作温度：≤1150℃； **温度：1200℃； 升温速率：10℃/min |
温控系统 | 日本富士温控仪表，64段控温程序，可分步、分段 |
混气系统 | 三路质量流量计：数字显示、气体流量自动控制；内置不锈钢混气箱，每路气体管路均配有逆止阀；管路采用不锈钢管，接口为Φ6卡套；每路气体进气管路配有不锈钢针阀；通过控制面板上的旋钮来调节气体流量流量规格：0~1000sccm（可选）； 流量精度：±1.5% |
高真空系统 | 采用双级旋片真空泵+分子泵，极限真空可达4.0*10^-4Pa； 复合真空计，配置电阻规+电离规 抽速：110L/S； 冷却：风冷； 电源:AC220V 50/60Hz |
射频电源系统 | 输出功率:0-300W；功率稳定度：±0.1%；射频电源频率:13.56MHz 稳定性±0.005%；**反向功率:120W；射频电源电子输出端口:UHF； 冷却:风冷； 电源:AC187-253V 50/60Hz |
可选配件 | 各种刚玉、石英坩埚，石英管，计算机控制软件 |
保修卡 | 整机一年保修（相关耗材除外） |
可根据客户要求定制！
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